人工神经元将 DRAM 与 MoS₂ 电路融合,更好地模拟类似大脑的适应性 复旦大学研究团队开发出一种革命性的人工神经元器件,成功将传统计算机内存与超薄半导体材料结合,创造出能够真正模拟大脑适应性学习的硬件系统。这项发表在《自然电子学》杂志上的研究成果,标志着神经形态计算领域的重大突破,为下一代人工智能硬件奠定了坚实基础。 神经元 dram 电路 mos 自然电子学 2025-08-31 17:15 2